本书主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程，集成电路工艺制造技术从*初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术，同时器件也从*初的BJT发展的MOSFET。由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路，它在一定的条件下被触发而形成低阻通路，从而产生大电流，并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁，导致CMOS集成电路无法正常工作，甚至烧毁芯片，通常把该现象称为闩锁效应。 闩锁效应存在于体CMOS集成电路中，它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题，随着CMOS工艺技术的不断发展，工艺技术日趋先进，器件的特征尺寸越来越小，并且器件间的间距也越来越小，集成电路的器件密度越来越大，集成电路的闩锁效应变得越来越严重，特别是在IO电路中。